专利摘要显示，本公开涉及FinFET器件及其形成方法。一种方法包括在衬底上方形成鳍，与鳍相邻形成隔离区域，在鳍上方形成虚设栅极结构，以及使用第一蚀刻工艺凹陷与虚设栅极结构相邻的鳍以形成第一凹槽。该方法还包括在第一凹槽上执行等离子体清洁工艺，等离子体清洁工艺包括将衬底放置在保持器上，该保持器被设置在工艺腔室中，将保持器加热到300℃至1000℃的工艺温度，将氢气引入被连接至工艺腔室的等离子体生成腔室中，点燃等离子体生成腔室内的等离子体以形成氢自由基，并将凹槽的表面暴露于氢自由基。该方法还包括在第一凹槽中外延生长源极/漏极区域。

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